트랜지스터

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부품 번호	설명	재고 있음
MRF6V2300NR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 110V 220MHZ TO-270-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 220MHz 이득: 25.5dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 900mA 전원-출력: 300W 전압-정격: 110V 패키지 / 케이스: TO-270AB 공급자 장치 패키지: TO-270 WB-4	재고 있음6,984
MRF6V2300NR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 110V 220MHZ TO-270-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 220MHz 이득: 25.5dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 900mA 전원-출력: 300W 전압-정격: 110V 패키지 / 케이스: TO-270AB 공급자 장치 패키지: TO-270 WB-4	재고 있음5,490
MRF6V3090NBR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 110V 860MHZ TO272-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 860MHz 이득: 22dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 350mA 전원-출력: 18W 전압-정격: 110V 패키지 / 케이스: TO-272BB 공급자 장치 패키지: TO-272 WB-4	재고 있음2,628
MRF6V3090NBR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 110V 860MHZ TO272-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 860MHz 이득: 22dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 350mA 전원-출력: 18W 전압-정격: 110V 패키지 / 케이스: TO-272BB 공급자 장치 패키지: TO-272 WB-4	재고 있음2,448
MRF6V3090NR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 110V 860MHZ TO270-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 860MHz 이득: 22dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 350mA 전원-출력: 18W 전압-정격: 110V 패키지 / 케이스: TO-270AB 공급자 장치 패키지: TO-270 WB-4	재고 있음5,796
MRF6V3090NR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 110V 860MHZ TO270-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 860MHz 이득: 22dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 350mA 전원-출력: 18W 전압-정격: 110V 패키지 / 케이스: TO-270AB 공급자 장치 패키지: TO-270 WB-4	재고 있음7,974
MRF6V4300NBR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 110V 450MHZ TO-272-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 450MHz 이득: 22dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 900mA 전원-출력: 300W 전압-정격: 110V 패키지 / 케이스: TO-272BB 공급자 장치 패키지: TO-272 WB-4	재고 있음3,636
MRF6V4300NBR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 110V 450MHZ TO-272-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 450MHz 이득: 22dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 900mA 전원-출력: 300W 전압-정격: 110V 패키지 / 케이스: TO-272BB 공급자 장치 패키지: TO-272 WB-4	재고 있음7,128
MRF6V4300NR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 110V 450MHZ TO-270-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 450MHz 이득: 22dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 900mA 전원-출력: 300W 전압-정격: 110V 패키지 / 케이스: TO-270AB 공급자 장치 패키지: TO-270 WB-4	재고 있음8,658
MRF6V4300NR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 110V 450MHZ TO-270-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 450MHz 이득: 22dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 900mA 전원-출력: 300W 전압-정격: 110V 패키지 / 케이스: TO-270AB 공급자 장치 패키지: TO-270 WB-4	재고 있음2,100
MRF6VP11KGSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 110V 130MHZ NI-1230S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 130MHz 이득: 26dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 150mA 전원-출력: 1000W 전압-정격: 110V 패키지 / 케이스: NI-1230S-4 GW 공급자 장치 패키지: NI-1230S-4 GULL	재고 있음7,218
MRF6VP11KHR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 110V 130MHZ NI-1230 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 130MHz 이득: 26dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 150mA 전원-출력: 1000W 전압-정격: 110V 패키지 / 케이스: NI-1230S-4 GW 공급자 장치 패키지: NI-1230S-4 GULL	재고 있음6,048
MRF6VP11KHR6 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 110V 130MHZ NI-1230 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 130MHz 이득: 26dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 150mA 전원-출력: 1000W 전압-정격: 110V 패키지 / 케이스: NI-1230 공급자 장치 패키지: NI-1230	재고 있음4,392
MRF6VP121KHR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI1230H 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 1.03GHz 이득: 20dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 150mA 전원-출력: 1000W 전압-정격: 110V 패키지 / 케이스: NI-1230 공급자 장치 패키지: NI-1230	재고 있음539
MRF6VP121KHR6 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 1.03GHz 이득: 20dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 150mA 전원-출력: 1000W 전압-정격: 110V 패키지 / 케이스: NI-1230 공급자 장치 패키지: NI-1230	재고 있음8,982
MRF6VP121KHSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI1230H 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 1.03GHz 이득: 20dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 150mA 전원-출력: 1000W 전압-정격: 110V 패키지 / 케이스: NI-1230S 공급자 장치 패키지: NI-1230S	재고 있음6,516
MRF6VP121KHSR6 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 1.03GHz 이득: 20dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 150mA 전원-출력: 1000W 전압-정격: 110V 패키지 / 케이스: NI-1230S 공급자 장치 패키지: NI-1230S	재고 있음8,082
MRF6VP21KHR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 110V 225MHZ NI-1230 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 225MHz 이득: 24dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 150mA 전원-출력: 1000W 전압-정격: 110V 패키지 / 케이스: NI-1230 공급자 장치 패키지: NI-1230	재고 있음5,994
MRF6VP21KHR6 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 110V 225MHZ NI1230 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 225MHz 이득: 24dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 150mA 전원-출력: 1000W 전압-정격: 110V 패키지 / 케이스: NI-1230 공급자 장치 패키지: NI-1230	재고 있음8,586
MRF6VP2600HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 110V 225MHZ NI-1230 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 225MHz 이득: 25dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 2.6A 전원-출력: 125W 전압-정격: 110V 패키지 / 케이스: NI-1230 공급자 장치 패키지: NI-1230	재고 있음6,480
MRF6VP2600HR6 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 110V 225MHZ NI1230 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 225MHz 이득: 25dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 2.6A 전원-출력: 125W 전압-정격: 110V 패키지 / 케이스: NI-1230 공급자 장치 패키지: NI-1230	재고 있음8,370
MRF6VP3091NBR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 115V 860MHZ TO272-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 860MHz 이득: 22dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 350mA 전원-출력: 18W 전압-정격: 115V 패키지 / 케이스: TO-272BB 공급자 장치 패키지: TO-272 WB-4	재고 있음3,726
MRF6VP3091NBR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 115V 860MHZ TO272-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 860MHz 이득: 22dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 350mA 전원-출력: 18W 전압-정격: 115V 패키지 / 케이스: TO-272-4 공급자 장치 패키지: TO-272-4	재고 있음2,034
MRF6VP3091NR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 115V 860MHZ TO270-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 860MHz 이득: 22dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 350mA 전원-출력: 18W 전압-정격: 115V 패키지 / 케이스: TO-270AB 공급자 장치 패키지: TO-270 WB-4	재고 있음7,182
MRF6VP3091NR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 115V 860MHZ TO272-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 860MHz 이득: 22dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 350mA 전원-출력: 18W 전압-정격: 115V 패키지 / 케이스: TO-272-4 공급자 장치 패키지: TO-272-4	재고 있음4,554
MRF6VP3450HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 110V 860MHZ NI-1230 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 860MHz 이득: 22.5dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 90W 전압-정격: 110V 패키지 / 케이스: NI-1230 공급자 장치 패키지: NI-1230	재고 있음3,600
MRF6VP3450HR6 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 110V 860MHZ NI-1230 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 860MHz 이득: 22.5dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 90W 전압-정격: 110V 패키지 / 케이스: NI-1230 공급자 장치 패키지: NI-1230	재고 있음7,758
MRF6VP3450HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 110V 860MHZ NI1230S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 860MHz 이득: 22.5dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 90W 전압-정격: 110V 패키지 / 케이스: NI-1230S 공급자 장치 패키지: NI-1230S	재고 있음8,190
MRF6VP3450HSR6 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 110V 860MHZ NI1230S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 860MHz 이득: 22.5dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 90W 전압-정격: 110V 패키지 / 케이스: NI-1230S 공급자 장치 패키지: NI-1230S	재고 있음3,204
MRF6VP41KHR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 110V 450MHZ NI1230 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 450MHz 이득: 20dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 150mA 전원-출력: 1000W 전압-정격: 110V 패키지 / 케이스: NI-1230 공급자 장치 패키지: NI-1230	재고 있음5,076

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